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UNIST, 차세대 메모리 소재 설계 원리 규명
송고시간2026/10/28 18:00
유니스트 에너지화학공학과 이준희 교수팀이
차세대 메모리 소자인 '산화하프늄'에서
'도메인 벽'이 쉽게 형성되는 원리를 밝혀냈습니다.

'도메인 벽'은
전기적 극성이 서로 반대 방향인 영역 간 경계를 뜻하는 말로,
두 극성 방향은 각각 0과 1에 대응시켜 정보를 저장할 수 있습니다.

연구에 따르면 '산화하프늄'은 두 종류의 원자 움직임이 서로를 보완해
추가적인 에너지 없이 안정적으로 도메인 벽을 만들어냈으며,
이러한 원리는 향후 고밀도 메모리 소재 설계에 활용될 전망입니다.
// 박영훈 기자