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유니스트 에너지화학공학과 이준희 교수팀이 차세대 메모리 소자인 '산화하프늄'에서 '도메인 벽'이 쉽게 형성되는 원리를 밝혀냈습니다.
'도메인 벽'은 전기적 극성이 서로 반대 방향인 영역 간 경계를 뜻하는 말로, 두 극성 방향은 각각 0과 1에 대응시켜 정보를 저장할 수 있습니다.
연구에 따르면 '산화하프늄'은 두 종류의 원자 움직임이 서로를 보완해 추가적인 에너지 없이 안정적으로 도메인 벽을 만들어냈으며, 이러한 원리는 향후 고밀도 메모리 소재 설계에 활용될 전망입니다. // 박영훈 기자
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