JCN울산중앙방송

UNIST 자연과학부 오윤석 교수팀이 메모리 반도체의 성능을
향상시킬 수 있는 강유전체를 세계 최초로 개발하는데 성공했습니다.

오 교수팀은 외부 전압을 가했을 때 양극과 음극의 배열이
수평으로 바뀌는 강유전체를 개발했다고 밝혔습니다.

수평 방향으로 분극 현상이 생기면 수직 방향보다 훨씬 더 많은
전기가 다양한 방향으로 경계면을 따라 흐를 수 있어
메모리반도체의 성능을 향상시킬 수 있습니다.

이번 연구결과는 네이처 머티리얼스에 게재됐습니다.